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ISL9R860PF2 — STEALTH? Diode
Typical Performance Curves
Figure 1. Forward Current vs Forward Voltage Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage
Figure 3. ta
and t
b
Curves vs Forward Current
diF/dt, CURRENT
RA
TE
OF
CHANGE (A/μs)
Figure 4.
ta
and
tb
C
urves
vs d
iF/dt
Figure 5. Maximum Reverse Recovery Current vs
Forward Current
Figure 6.
Maximum
R
everse Recovery
C
urrent
vs
diF/dt
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
0 0.5 0.75 10.25
1.5 2 2.251.75
2.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
2.75
25oC
175oC
150oC
100oC
125oC
1.25
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
, REVERSE CURRENT (μA)
100
10
1
0.1100 200 300 500 600400
25oC
175oC
150oC
125oC
100oC
IF, FORWARD CURRENT (A)
0
0
10
20
30
40
50
60
2 4 6 8 12 1410 16
t, RECOVERY TIMES (ns)
70
80
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
tb
AT
d
iF/dt
= 200A/μs, 500A/μs, 800A/μs
ta
AT
d
iF/dt =
200A
/μs,
5
00A/μs,
800
A/μs
100
0
10
20
30
40
50
60
200 300 400 500 600 800 900700
1000
t, RECOVERY TIMES (ns)
70
80
90
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
tb
AT I
F
= 16A, 8A, 4A
ta
AT I
F
= 16A, 8A, 4A
IF, FORWARD CURRENT (A)
0
2
3
4
5
6
7
8
16
I
rr
, MAX
REVE
RSE
RECOVERY
CURREN
T
(
A)
diF/dt =
800
A/μs
diF/dt =
5
00A/μs
diF/dt =
200
A/μs
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
9
10
11
2 4 6 8 10 12 14
diF/dt,
CU
RRENT
RA
TE
OF
CHA
NGE (A/μs)
100
0
2
4
6
8
10
200 300 400 500 600 800 900700
1000
I
rr
,
MAX
REVE
RSE RECOVERY
CURRENT
(
A)
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
IF
= 16A
IF
= 8A
IF
= 4A
12
14
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9R860PF2 Rev. C1
www.fairchildsemi.com
3
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